硅
硅有晶态和无定形两种同素异性体。晶态硅又分为单晶硅和多晶硅。

单晶硅
单晶硅：硅的单晶体，具有基本完整的点阵结构的晶体，整个晶体内都是周期性的规则排列，是一种良好的半导材料，用高纯度的多晶硅在单晶炉内拉制而成，是制造半导体硅器件的原料，MEMS衬底材料采用单晶硅。

氮化硅
氮化硅：是一种不活泼的致密材料，腐蚀较为困难。用于绝缘层。

二氧化硅
二氧化硅：其腐蚀速度对温度最敏感，温度越高，腐蚀速率越快，腐蚀时必须严格控制温度。用于牺牲层和多晶硅厚膜图形的刻蚀掩膜。

多晶硅
多晶硅：采用浇注法生产，就是直接把硅料融化定型。晶体内各个局部区域里原子是周期性的规则排列，但不同局部区域之间原子的排列方向并不相同。工艺上可与单晶硅工艺相容又能进行精密加工，而且还可以根据器件的需要充当绝缘体、导体和半导体。

多晶硅与单晶硅
多晶硅与单晶硅的差异主要表现在物理性质方面。多晶硅在力学性质、光学性质和热学性质的各向异性方面，远不如单晶硅明显；在电学性质方面，多晶硅晶体的导电性也远不如单晶硅显著，甚至于几乎没有导电性。